삼성전자 고대역폭메모리(HBM)가 엔비디아의 품질 검증을 통과하지 못했다고 23일(현지시간) 로이터통신이 보도했다.
발열 및 전력 소비 부분이 문제였다고 로이터는 전했다.
이날 로이터는 소식통을 인용해 삼성전자는 지난해부터 HBM3(4세대 HBM) 및 HBM3E(5세대)에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력해왔다며 그러나 8단 및 12단 HBM 3E의 검증에 실패했다는 결과가 지난달 나왔다고 보도했다.
이어 테스트를 통과하지 못한 이유로 (삼성 칩에) 발열 및 전력 소비 문제가 있었다고 밝혔다.
HBM은 D램을 수직으로 연결해 현재 D램보다 데이터를 훨씬 빨리 처리할 수 있게 만든 반도체다.
대량의 데이터를 빠르게 처리하는 인공지능(AI) 반도체의 핵심 부품으로 사용되고 있다.
삼성전자는 로이터 측에 고객사의 요구에 따른 최적화 작업이 필요한 HBM 칩 특성상 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중이라고 입장을 밝혔다.
그러나 엔비디아의 품질 검증에 실패했다는 보도 내용에 대해서는 즉답하지 않았다.
삼성전자는 즉각 반박에 나섰다.
관련 보도가 나온 직후 삼성전자는 공식 입장을 내고 다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 진행 중이라며 현재 다수의 업체들과 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다고 밝혔다.
로이터는 (엔비디아가 지적한) 문제가 쉽게 해결될 수 있는지는 명확하지 않다며 해결되지 않을 경우 투자자들 사이에선 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 커지고 있다고 짚었다.
송명섭 하이투자증권 연구원은 삼성전자 주가의 최근 상대적 부진은 HBM 부문의 경쟁력 회복 기대감이 약화했기 때문이라며 무엇보다 HBM3 이상 제품의 출하가 최대 고객사향(엔비디아)으로 본격화해야 할 것이라고 밝혔다.
송 연구원은 당분간 삼성전자의 HBM 부문 경쟁력이 크게 개선되지 못할 가능성을 반영해 목표주가를 기존 9만5000원에서 9만1000원으로 하향 조정했다.
김영건 미래에셋증권 연구원은 삼성전자의 올해 1분기 실적발표회에서 경영진은 HBM3E 8단 제품의 2분기 중 매출 발생 가능성과 12단 제품의 2분기 내 양산 계획을 제시했다며 경영진의 공식적인 가이던스에도 불구하고 난무하는 추측성 보도로 인해 동사의 기술 경쟁력이 과도하게 평가 절하되고 있다고 지적했다.
그는 이미 3개사로 과점화한 D램 시장의 진입장벽은 더 높아졌다며 최근 HBM2E(3세대) 수요도 무시할 수 없는데 HBM3E에서의 부침을 일부 보완할 만한 시장환경이라고 설명했다.
삼성전자가 1등기업이 아니라 2등기업이 되엇다
이재용의 무능력때문이다
경계현 사장의 무능력때문이다
삼성이 보는 미래전망의 실패이다
미래예측을 잘못한것이다
하이닉스보다 못한 기업이 되엇다
삼성은 더 분발 해야 할것 같다
삼성은 시스템반도체 시장점유률 2등도 있다
메모리는 아직 1등이다
그러면 삼성은 메모리와 시스템반도체를 결합시켜서 대만의TSMC 와 하이닉스를 따라잡으면 될것 같다
그런데 그게 잘 안되고 있다
최고경영자가 무능하기 때문인것 같다
제발 꼭 성공해라
반드시 성공해서 대만 TSMC를 따라잡아라.
하이닉스를 이겨라
삼성, 엔비디아 니즈 맞춰가는 걸로 봐야…HBM3E 공급 가능할 것.
삼성, 아직 엔비디아 '노크'. 삼성 HBM 공급 위한 테스트를 순조롭게 진행 중
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