삼성전자가 엔비디아에 4세대 고대역폭메모리(HBM3)를 공급하기 위해 양산

삼성전자가 엔비디아에 4세대 고대역폭메모리(HBM3)를 공급하기 위해 양산에 들어갔다. HBM 공급으로 부족해진 범용 D램 공급을 보완하기 위해 평택 4공장(P4)을 D램 전용 라인으로 전환할 계획이다.

• HBM3 양산 시작: 삼성전자는 최근 엔비디아의 8단 HBM3 승인 테스트를 통과하고 화성 17라인에서 HBM 전용 D램 생산을 시작했다. 이는 삼성전자가 처음으로 엔비디아에 HBM3를 공급하는 것이다.
• HBM 시장 경쟁: HBM3는 AI 반도체 1위인 엔비디아의 첨단 GPU에 사용되는 메모리반도체로, SK하이닉스가 독보적인 1위였다. 삼성전자는 이번 양산으로 HBM 시장에서 SK하이닉스와의 격차를 좁힐 것으로 예상된다.
• 생산 능력 확대: 삼성전자는 8단 HBM3E 테스트도 진행 중이며, 긍정적인 전망 속에 HBM 생산 능력을 화성, 평택 등 주요 D램 공장에 확대할 계획이다. 또한, 천안 사업장에 추가 패키징 설비 증설을 고려 중이다.
• D램 전용 라인 전환: 기존 D램 라인을 HBM 라인으로 전환하면서 범용 D램 수요 대응을 위해 평택 P4 공장을 D램 전용 라인으로 전환하기로 했다.
• P4 공장: P4는 2층 구조의 대형 반도체 공장으로, 기존 1층을 낸드와 파운드리 라인으로 나눌 계획이었으나 D램 설비 전용으로 바꾸기로 했다. P4에는 이미 낸드플래시 설비가 갖춰져 있지만 추가 설비투자는 하지 않기로 했다.
• 추가 D램 장비 도입: P4 파운드리 공간에 D램 장비는 내년 상반기부터 반입될 예정이다.

업계 관계자는 삼성전자가 반도체 생산 능력을 늘릴 수 있는 공간에 D램 투자를 집중하는 계획을 세운 것으로 해석했다.